%0 Conference Paper
%A Voigtländer, B.
%T Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums
%M PreJuSER-28245
%D 2000
%Z Record converted from VDB: 12.11.2012
%< Festkörperphysikalisches Kolloquium FU-Berlin
Y2 28 Jan 2000
M2 Berlin, 
%F PUB:(DE-HGF)31
%9 Talk (non conference)
%U https://juser.fz-juelich.de/record/28245