TY  - CONF
AU  - Voigtländer, B.
TI  - Grundlegende Prozesse bei der Epitaxie von Si und Ge auf Silizium : STM Untersuchungen während des Wachstums
M1  - PreJuSER-28245
PY  - 2000
N1  - Record converted from VDB: 12.11.2012
Y2  - 28 Jan 2000
M2  - Berlin, 
LB  - PUB:(DE-HGF)31
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/28245
ER  -