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Field Emission at Grain Boundaries: Modeling the Conductivity in Highly Doped Polycrystalline Semiconductors - FZJ-2016-01769
 
Main document Datei(en):
      Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors
    Version 1
    Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors.gif (icon) [12.45 KB] 29 Feb 2016, 14:31 OpenAccess
    Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors.jpg (icon-1440) [264.39 KB] 29 Feb 2016, 14:31 OpenAccess
    Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors.jpg (icon-180) [25.05 KB] 29 Feb 2016, 14:31 OpenAccess
    Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors.jpg (icon-640) [264.39 KB] 29 Feb 2016, 14:31 OpenAccess
    Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors.pdf [1,023.27 KB] 29 Feb 2016, 14:31 OpenAccess
    Sommer PhysRevAppl 2016 Grain boundary tunneling model for polycrystalline semiconductors.pdf (pdfa) [2.07 MB] 29 Feb 2016, 14:31 OpenAccess
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