Untersuchung von pseudomorphen InGaAs/InAlAs/InP High Electron Mobility Transistoren im Hinblick auf kryogene Anwendungen

Gast :: Anmelden JuSER
		Suchen		Absenden		Personalisieren Ihre Benachrichtigungen Ihre Körbe Ihre Suchanfragen		Hilfe

Untersuchung von pseudomorphen InGaAs/InAlAs/InP High Electron Mobility Transistoren im Hinblick auf kryogene Anwendungen - PreJuSER-37449

Main document Datei(en):

JuSER :: :: :: ::
Powered by v1.1.7 |
Verwaltet von

Impressum | Data Privacy Policy

Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch English