Dissertation / PhD Thesis

PreJuSER-37528

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png MOVPE Growth and Characterization of AlxGa1-xN/GaN Heterostructures for HEMT Application

Kaluza, N.FZJ*

2003
FZJ, Institut für Schichten und Grenzflächen Jülich

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Note: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003

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Contributing Institute(s):

1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)

Research Program(s):

1. Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik (I01)

Appears in the scientific report 2003
Notes: Nachtrag

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