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Conference Presentation (Invited) FZJ-2017-03786
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Tunable direct bandgap GeSn lasers for monolithic integration on Si platform

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2016

SPIE Photonics West OPTO, San FranciscoSan Francisco, USA, 14 Feb 2016 - 17 Feb 20162016-02-142016-02-17

Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
  2. JARA-FIT (JARA-FIT)
Research Program(s):
  1. 521 - Controlling Electron Charge-Based Phenomena (POF3-521) (POF3-521)

Appears in the scientific report 2017
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
JARA > JARA > JARA-JARA\-FIT
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2017-05-24, letzte Änderung am 2021-01-29
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