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Conference Presentation (Other) FZJ-2018-01468
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Mechanism for threshold siwtching in NbOx

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2017

7th imec-Stanford International Workshop on Resistive Switching Memories, LeuvenLeuven, Belgium, 21 Sep 2017 - 22 Sep 20172017-09-212017-09-22

Contributing Institute(s):
  1. Elektronische Materialien (PGI-7)
  2. JARA-FIT (JARA-FIT)
Research Program(s):
  1. 521 - Controlling Electron Charge-Based Phenomena (POF3-521) (POF3-521)

Appears in the scientific report 2018
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
JARA > JARA > JARA-JARA\-FIT
Institutssammlungen > PGI > PGI-7
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2018-02-26, letzte Änderung am 2021-01-29
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