| Hauptseite > Publikationsdatenbank > Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge 1 −x – y Si x Sn y /Ge 1− x Sn x /Ge 1− x–y Si x Sn y double heterostructure > Zugang zum Volltext |
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Fukuda_2018_Semicond._Sci._Technol._33_124018
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