Poly-Si/SiO x /c-Si passivating contact with 738 mV implied open circuit voltage fabricated by hot-wire chemical vapor deposition

Information
Diskussion
Dateien
Plots

Poly-Si/SiO x /c-Si passivating contact with 738 mV implied open circuit voltage fabricated by hot-wire chemical vapor deposition - FZJ-2019-06421

Main document Datei(en):

Ähnliche Datensätze

JuSER :: :: :: ::
Powered by v1.1.7 |
Verwaltet von

Impressum | Data Privacy Policy

Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch English

Gast :: Anmelden JuSER
		Suchen		Absenden		Personalisieren Ihre Benachrichtigungen Ihre Körbe Ihre Suchanfragen		Hilfe