Patent | FZJ-2021-03147 |
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2021
Patent No.: WO2021115507 (A1); DE20191008601 20191212
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Bauelementstruktureinheit für (Halbleiter-) Bauelemente, umfassend mindestens ein halbleitendes Basismaterial, welches dadurch gekennzeichnet ist, dass auf das Basismaterial wenigstens eine Materialschicht so aufgebracht ist, dass diese Materialschicht ein inhomogen ausgestaltetes Dickenprofil entlang der Oberfläche, in Transportrichtung der Ladungsträger, im Bauelement ausbildet, mit der das Ladungsträgerkonzentrationsprofil und die Verteilung der Ladungsträger in einem (Halbleiter-) Bauelement gezielt beeinflusst werden kann.Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Bauelementstruktureinheit für (Halbleiter-) Bauelemente, mit der das Ladungsträgerkonzentrationsprofil und die Verteilung der Ladungsträger in einem (Halbleiter-) Bauelement gezielt beeinflusst werden kann.Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Halbleiter-Bauelement, enthaltend wenigstens eine erfindungsgemäße Bauelementstruktureinheit.
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