Contribution to a conference proceedings/Contribution to a book

FZJ-2021-03498

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png An Ag/HfO2/Pt Threshold Switching Device with an Ultra-Low Leakage (< 10 fA), High On/OffRatio (> 1011), and Low Threshold Voltage (< 0.2 V) for Energy-Efficient Neuromorphic Computing

Chekol, S. A.FZJ* ; Cuppers, F.FZJ* ; Waser, R.FZJ* ; Hoffmann-Eifert, S. (Corresponding author)FZJ*

2021
IEEE

This record in other databases:    

Please use a persistent id in citations: doi:10.1109/IMW51353.2021.9439601

---

Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA Institut Green IT (PGI-10)
3. JARA-FIT (JARA-FIT)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF-16ES1134 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC - (BMBF-16ES1134) (BMBF-16ES1134)
3. Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC -, Teilvorhaben: Forschungszentrum Jülich (16ES1133K) (16ES1133K)

Appears in the scientific report 2021

---