Contribution to a conference proceedings/Contribution to a book FZJ-2021-03499

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50x Endurance Improvement in TaOx RRAM by Extrinsic Doping

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2021
IEEE

2021 IEEE International Memory Workshop (IMW) : [Proceedings] - IEEE, 2021. - ISBN 978-1-7281-8517-0 - doi:10.1109/IMW51353.2021.9439591
2021 IEEE International Memory Workshop (IMW), DresdenDresden, Germany, 16 May 2021 - 19 May 20212021-05-162021-05-19
IEEE 9 pp. () [10.1109/IMW51353.2021.9439591]

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Contributing Institute(s):
  1. JARA Institut Green IT (PGI-10)
  2. Elektronische Materialien (PGI-7)
  3. JARA-FIT (JARA-FIT)
Research Program(s):
  1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
  2. Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC -, Teilvorhaben: Forschungszentrum Jülich (16ES1133K) (16ES1133K)
  3. BMBF-16ES1134 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC - (BMBF-16ES1134) (BMBF-16ES1134)

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 Datensatz erzeugt am 2021-09-14, letzte Änderung am 2022-01-26



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