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001     895505
005     20230713203925.0
024 7 _ |a G:(GEPRIS)277688301
|d 277688301
035 _ _ |a G:(GEPRIS)277688301
040 _ _ |a GEPRIS
|c http://gepris.its.kfa-juelich.de
150 _ _ |a Theorie und Modellierung des valenzwechselbasierenden resistiven Schaltens (B08)
|y 2015 - 2023
371 _ _ |a Professor Dr. Stefan Blügel
371 _ _ |a Professor Dr.-Ing. Christoph Jungemann
371 _ _ |a Professorin Dr. Marjana Lezaic
450 _ _ |a SFB 917 B08
|w d
|y 2015 - 2023
510 1 _ |a Deutsche Forschungsgemeinschaft
|0 I:(DE-588b)2007744-0
|b DFG
550 _ _ |0 G:(GEPRIS)167917811
|a SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"
|w t
680 _ _ |a Im Projekt B8 zielen wir darauf ab, die atomistischen Simulationen auf Elektrodenmaterialien und die Elektroden/Oxid-Schnittstelle auszudehnen. Darüber hinaus planen wir, die Auswirkungen des Einbaus von Wasserstoff zu erfassen. Kinetische Monte-Carlo-Simulationen werden verwendet, um die Möglichkeiten zur Verbesserung der Leistungskennzahlen von ReRAM wie Zuverlässigkeit, Schaltausdauer und Ein-/Aus-Widerstandsverhältnis zu untersuchen, wobei die Ergebnisse des ab initio-Ansatzes und der genetische Algorithmus als Input verwendet werden. Diese Studie wird mit dem Drift-Diffusionsmodell in B1 verknüpft.
909 C O |o oai:juser.fz-juelich.de:895505
|p authority:GRANT
|p authority
980 _ _ |a G
980 _ _ |a AUTHORITY

LibraryCollectionCLSMajorCLSMinorLanguageAuthor
Marc 21