Hauptseite > Publikationsdatenbank > An Ag/HfO2/Pt Threshold Switching Device with an Ultra-Low Leakage (< 10 fA), High On/Off Ratio (> 1011), and Low Threshold Voltage (< 0.2 V) for Energy-Efficient Neuromorphic Computing > EndNote Text 
%0 Conference Paper
%A Chekol, Solomon
%A Cüppers, Felix
%A Waser, R.
%A Hoffmann-Eifert, Susanne
%T An Ag/HfO2/Pt Threshold Switching Device with an Ultra-Low Leakage (&lt; 10 fA), High On/Off Ratio (&gt; 1011), and Low Threshold Voltage (&lt; 0.2 V) for Energy-Efficient Neuromorphic Computing
%M FZJ-2022-01159
%D 2021
%B IEEE International Memory Workshop
%C 13 May 2021 - 16 May 2021, virtual (virtual)
Y2 13 May 2021 - 16 May 2021
M2 virtual, virtual
%F PUB:(DE-HGF)6
%9 Conference Presentation
%U https://juser.fz-juelich.de/record/905985
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