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Hauptseite > Publikationsdatenbank > Application of the Quantum-Point-Contact Formalism to Model the Filamentary Conduction in Ta 2 O 5 -Based Resistive Switching Devices > Zugang zum Volltext
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Application of the Quantum-Point-Contact Formalism to Model the Filamentary Conduction in Ta 2 O 5 -Based Resistive Switching Devices - FZJ-2022-01767
 
Main document Datei(en):
      PhysRevApplied.17.034062
    Version 1
    PhysRevApplied.17.034062.pdf [1.87 MB] 28 Mär 2022, 09:49 OpenAccess
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