TY  - JOUR
AU  - Han, Yi
AU  - Xi, Fengben
AU  - Allibert, Frederic
AU  - Radu, Ionut
AU  - Prucnal, Slawomir
AU  - Bae, Jin-Hee
AU  - Hoffmann-Eifert, Susanne
AU  - Knoch, Joachim
AU  - Grützmacher, Detlev
AU  - Zhao, Qing-Tai
TI  - Characterization of fully silicided source/drain SOI UTBB nMOSFETs at cryogenic temperatures
JO  - Solid state electronics
VL  - 192
SN  - 0038-1101
CY  - Oxford [u.a.]
PB  - Pergamon, Elsevier Science
M1  - FZJ-2022-04211
SP  - 108263 -
PY  - 2022
LB  - PUB:(DE-HGF)16
UR  - <Go to ISI:>//WOS:000788843300003
DO  - DOI:10.1016/j.sse.2022.108263
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/910861
ER  -