TY  - JOUR
AU  - Richstein, B.
AU  - Han, Y.
AU  - Zhao, Q.
AU  - Hellmich, L.
AU  - Klos, J.
AU  - Scholz, S.
AU  - Schreiber, Lars
AU  - Knoch, J.
TI  - Interface Engineering for Steep Slope Cryogenic MOSFETs
JO  - IEEE electron device letters
VL  - 43
IS  - 12
SN  - 0193-8576
CY  - New York, NY
PB  - IEEE
M1  - FZJ-2023-00101
SP  - 2149 - 2152
PY  - 2022
LB  - PUB:(DE-HGF)16
UR  - <Go to ISI:>//WOS:000924865400035
DO  - DOI:10.1109/LED.2022.3217314
UR  - https://juser.fz-juelich.de/record/916798
ER  -