DFG project G:(GEPRIS)422738993

SPP 2262: Memristive Bauelemente für intelligente technische Systeme

CoordinatorProfessor Dr. Ronald Tetzlaff
Grant period2020 -
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)422738993

Note: Das Schwerpunktprogramm "Memristive Devices Toward Smart Technical Systems" (MemrisTec, SPP 2262) wurde vom Senat der Deutschen Forschungsgemeinschaft (DFG) eingerichtet. Das Programm begann 2021 und ist auf sechs Jahre angelegt (zwei Phasen mit einer Laufzeit von jeweils drei Jahren). Der Projektantrag wurde von Prof. Ronald Tetzlaff initiiert und koordiniert. Wir schlagen ein Koordinationsprojekt für die zweite Phase von MemrisTec vor, das sich der aktiven Stimulation, Koordination und dem Wissensaustausch zwischen den Projekten widmet, aber auch dem Ausbau der Softwareplattform für das Schaltungsdesign. Die MemrisTec Software Plattform stellt Simulationswerkzeuge für Schaltkreise bereit, die in MemrisTec-Projekten entwickelte Modelle bereithält. Mittels Cloudserver und Softwareplattform werden Informationen, Modellimplementierungen und Daten zur Verfügung gestellt, um die Kommunikation zwischen den Projektpartnern zu erleichtern. Weiterhin wird die Initiierung und Koordination von gemeinsamen wissenschaftlichen Publikationen, die in Projektworkshops vorgestellt werden, im Rahmen des Koordinationsprojektes erfolgen. Die Förderung des wissenschaftlichen Nachwuchses und Verbesserungen bei der Gleichstellung der Geschlechter in einem internationalen Umfeld sind wichtige Bestandteile der geplanten Aktivitäten. Schließlich wird die interaktive Webseite memristec.de weiter gepflegt und Informationen über Social Media (Mastodon, LinkedIn und Twitter) verteilt. Special Sessions auf internationalen Konferenzen (z.B. MEMRISYS, ISCAS) werden in Zusammenarbeit mit den Projektpartnern organisiert sowie Demonstratoren auf der Messe embedded world in Nürnberg präsentiert.
   

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Memristive valence change memory cross-bar arrays for neuro-inspired data processing
Neuro-Inspired Computational Elements, NICE2025, HeidelbergHeidelberg, Germany, 24 Mar 2025 - 28 Mar 20252025-03-242025-03-28 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Journal Article  ;  ;  ;
Experimental Verification and Evaluation of Non-Stateful Logic Gates in Resistive RAM
IEEE transactions on circuits and systems / 1 72(5), 2029 - 2038 () [10.1109/TCSI.2024.3486376] OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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From Nanoionic effects in valence change memoriest o neuromorphic sensing
Engineering Conferences International (ECI) – Nontioiometric Compounds VIII, TainanTainan, Taiwan, 3 Nov 2024 - 7 Nov 20242024-11-032024-11-07 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Invited)
Basic operation and nanoscale effects in valence change memories
3rd MemrisTec Summer School, GroningenGroningen, Netherlands, 22 Sep 2024 - 29 Sep 20242024-09-222024-09-29 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Talk (non-conference) (Invited)
From nanoionic processes to neuromorphic sensing
Kolloquim SFB 1458, MünsterMünster, Germany, 16 May 20242024-05-16 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Conference Presentation (Invited)  ;  ;  ;  ;
Origin of the time relaxation of volatile valence change memory
MRS Spring Meeting, SeattleSeattle, USA, 22 Apr 2024 - 26 Apr 20242024-04-222024-04-26 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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Variability-Aware Compact Modelling and Model Parameter Study of Electrochemical Metallization Memory Cells
International Conference on Neuromorphic Computing and Engineering, ICNCE, AachenAachen, Germany, 3 Jun 2024 - 6 Jun 20242024-06-032024-06-06 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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Improved Stateful Logic Designs based on Memristive 1T-1R Arrays
Memrisys, SeoulSeoul, South Korea, 10 Nov 2024 - 13 Nov 20242024-11-102024-11-13 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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From nanoionic effects in valence change memories to neuromorphic sensing
Engineering Conferences International, ECI, TaiwanTaiwan, Tainan, 3 Nov 2024 - 8 Nov 20242024-11-032024-11-08 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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Variability-aware modeling of electrochemical metallization memory cells
Neuromorphic computing and engineering 4(3), 034007 - () [10.1088/2634-4386/ad57e7] OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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 Datensatz erzeugt am 2023-01-17, letzte Änderung am 2024-09-25



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