Book/Report

FZJ-2018-04102

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Verwendbarkeit von N$_{2}$ als Trägergas bei der Niedrigdruck- Gasphasenepitaxie von GaAs and Al(x)Ga(1-x)As

Hollfelder, M. (Corresponding author)FZJ*

1993
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/19283

Report No.: Juel-2713

Abstract: Im Rahmen dieser Arbeit wurde das Wachstum von GaAs und Al$_{x}$Ga$_{1_x}$As in der Niedrigdruckgasphasenepitaxie (LP-MOVPE) mit N$_{2}$ als Trägergas optimiert. Dazu wurden Reaktordruck, Wachstumstemperatur, V/III-Verhältnis und Strömungsgeschwindigkeit sukzessiv variiert, wobei die elektrischen und optischen Eigenschaften der deponierten Schichten mit verschiedenen Charakterisierungsmethoden beurteilt wurden. Um die Rolle des Trägergases im Wachstumsprozeß zu verstehen, wurden die Wachstumsraten mit den Vorhersagen des einfachen Grenzschichtmodells [16] für ein diffusionskontrolliertes Wachstum verglichen. Die unter den optimierten Wachstumsparametern mit N$_{2}$-Trägergas deponierten Schichten wurden mit den standardmäßig mit H$_{2}$ als Trägergas abgeschiedenen Schichten verglichen. Zur Anwendung in Bauelementstrukturen wurde die n-Dotierung von GaAs und Al$_{0.24}$Ga$_{0.76}$As mit SiH$_{4}$ als Dotiergas untersucht. Die Resultate fanden Verwendung bei der Deposition einer Al$_{0.30}$Ga$_{0.70}$As/GaAs HEMT-Struktur.

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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