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Vertical gate-all-around SiGeSn/GeSn/SiGeSn nanowire nFETs
Junk, Y.FZJ* ; Concepción Díaz, O.FZJ* ; Frauenrath, M. ; Bärwolf, F. ; Mai, A. ; Hartman, J.-M. ; Grützmacher, D.FZJ* ; Buca, D. M.FZJ* ; Zhao, Q.-T. (Corresponding author)FZJ*
2023
2023Intern. Conf. Solid State Devices and Materials, SSDM, NagoyaNagoya, Japan, 5 Sep 2023 - 8 Sep 20232023-09-052023-09-08
PS 1-13 (2023)2023
Contributing Institute(s):
- Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
Research Program(s):
- 5234 - Emerging NC Architectures (POF4-523) (POF4-523)
- Verbundprojekt: Erforschung nanoelektronischer Höchstleistungs-Bauelemente für innovative Elektronik auf Basis neuer Materialsysteme - ForMikro-SiGeSn-NanoFETs - , Teilvorhaben: CVD-basierte Herstellung von SiGeSn-Halbleiterheterostrukturen und vertikalen (16ES1074) (16ES1074)
Appears in the scientific report
2023
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