Conference Presentation (Other)

FZJ-2024-00997

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Low contact resistance of NiGeSn on n-GeSn

Sun, J.FZJ* ; Han, Y.FZJ* ; Junk, Y.FZJ* ; Concepción Díaz, O.FZJ* ; Bae, J. H.FZJ* ; Grützmacher, D.FZJ* ; Buca, D. M.FZJ* ; Zhao, Q.-T.FZJ*

2023

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Contributing Institute(s):

1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)

Research Program(s):

1. 5234 - Emerging NC Architectures (POF4-523) (POF4-523)
2. Verbundprojekt: Erforschung nanoelektronischer Höchstleistungs-Bauelemente für innovative Elektronik auf Basis neuer Materialsysteme - ForMikro-SiGeSn-NanoFETs - , Teilvorhaben: CVD-basierte Herstellung von SiGeSn-Halbleiterheterostrukturen und vertikalen (16ES1074) (16ES1074)

Appears in the scientific report 2023

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