http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Dünnschichten aus Silizium hergestellt durch CVD mittels Flüssigsilanen mit einstellbarem Kohlenstoffgehalt

 ;  ;

2025

Patent No.: DE102023118799A1; DE 102023118799


Contributing Institute(s):
  1. Photovoltaik (IMD-3)
Research Program(s):
  1. 1211 - Wind Energy Technology (POF4-121) (POF4-121)
  2. 5215 - Towards Quantum and Neuromorphic Computing Functionalities (POF4-521) (POF4-521)

Appears in the scientific report 2025
Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Institutssammlungen > IMD > IMD-3
Dokumenttypen > Patente > Patente
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank

 Datensatz erzeugt am 2025-07-15, letzte Änderung am 2025-07-17


Externer link:
Volltext herunterladen
Volltext
Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
 
(Bisher nicht rezensiert)