Journal Article

FZJ-2025-04540

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Threshold switching in vertically aligned MoS2/SiOx heterostructures based on silver ion migration

Lee, J. ; Ahmad, R. W.FZJ* ; Cruces, S. ; Braun, D. ; Völkel, L. ; Ran, K.FZJ* ; Maroufidis Andreadis, V. ; Mayer, J.FZJ* ; Menzel, S.FZJ* ; Daus, A. ; Lemme, M. C.

2025
Nature Publishing Group London

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Please use a persistent id in citations: doi:10.1038/s41699-025-00614-9

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. Materialwissenschaft u. Werkstofftechnik (ER-C-2)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
3. BMFTR 03ZU2106AB - NeuroSys: KI-anwendungsspezifische Technologiereifung memristiver Bauteile (Projekt A) - Teilvorhaben B (03ZU2106AB) (03ZU2106AB)
4. DFG project G:(GEPRIS)441918103 - Hybride „MEMristor-CMOS Mikroelektroden-Array“ Biosensorik-Plattform (MEMMEA) (441918103) (441918103)

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Database coverage:
; ; ; Article Processing Charges ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DOAJ Seal ; Essential Science Indicators ; Fees ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection

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