Book/Report

FZJ-2018-03767

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Oberflächenphotospannung der Silizium(111)7x7 -Oberfläche

Stubenrauch, F. M. (Corresponding author)FZJ*

1992
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/19130

Report No.: Juel-2587

Abstract: Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Temperaturabhängigkeit der Austrittsarbeit sowie die Oberflächenphotospannung an Si(111)7x7 Oberflächen mit Hilfe der Kelvinmethode gemessen. Dabei wurde die Abhängigkeit der SPEI von der Temperatur, der Lichtintensität und der Dotierung der Proben untersucht. Alle Messungen sind sowohl an der reinen als auch an der wasserstoffbedeckten Oberfläche durchgeführt worden. Die Präparation der Siliziumoberflächen erfolgte mit chemischenMethoden, die aus der Halbleitertechnologie stammen. Mit einem von Chabal et al./53/ vorgeschlagenem Verfahren konnten die Oberflächen anschließend mit Wasserstoff bedeckt und somit passiviert werden. In einem weiten Temperaturbereich erweist sich die Austrittsarbeit der reinen und wasserstoffbedeckten Oberfläche als unabhängig von der Temperatur. Das läßt auf ein Pinning des F'erminiveaus an der Oberfläche schließen. Bei den reinen Proben wird dieses Pinning bei tiefen Temperaturen aufgrund zu niedriger Zustandsdichte am Ferminiveau aufgehoben. Die Abhängigkeit der Oberflächenphotospannung der reinen Oberflächevon der Temperatur und der eingestrahlten Lichtintensität läßt sich mit folgender Formel beschreiben: eU = AkT ln(I$_{L}$/I$_{o}$) [...]

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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