Conference Presentation (Other) FZJ-2019-00047

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
Impact of Traps in Ferroelectric HfYOx on Negative Capacitance MOSFETs

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2018

2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, HonoluluHonolulu, USA, 17 Jun 2018 - 18 Jun 20182018-06-172018-06-18


Note: Extended Abstract

Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
Research Program(s):
  1. 521 - Controlling Electron Charge-Based Phenomena (POF3-521) (POF3-521)

Appears in the scientific report 2018
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Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
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 Datensatz erzeugt am 2019-01-04, letzte Änderung am 2021-01-30



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