Book/Report

FZJ-2019-01400

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Strukturbeeinflussung von porösem Silicium für optoelektronische Anwendungen

Arens-Fischer, R. (Corresponding author)FZJ*

1996
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/21607

Report No.: Juel-3210

Abstract: Im Rahmen dieser Arbeit ist poröses Silicium untersucht worden, das auf p-dotierten Substraten hergestellt worden ist. Dabei sind die Proben mittels Lichtmikroskop,Oberflächenprofiler, SEM sowie RAMAN-, Photolumineszenz-, spektroskopischer EIlipsometrie, IR- und VIS-UV-Reflexions-Spektroskopie charakterisiert worden. Um eine präzise Herstellung von Schichten aus porösem Silicium zu erlauben, ist eine Eichung der Ätzrate in Abhängigkeit von der verwendeten Stromdichte mittels eines Rasterelektronenmikroskops erfolgt. Zusammen mit einer Neubetrachtung gravimetrischer Messungen, ist es möglich gewesen, die makroskopischen Größen von PS - die Schichtdicke und die Porosität - genauer als bisher zu bestimmen. Um die Photolumineszenz des porösen Siliciums zu steigern sind verschiedene Wege gewählt worden. Zum Einen ist poröses Silicium überkritisch getrocknet worden, was einen völlig neuen Weg in der porösen Silicium Technologie darstellt. Dies hat dazu geführt, daß eine maximale Porosität erzielt worden ist, die - absolut - gesehen um über 15 % höher lag, als die bis dahin erreichten Porositäten. Damit verbunden war ein exponentieller Anstieg in der Photolumineszenzintensität. Es hat sich jedoch gezeigt, daß mittels RAMAN-Spektroskopie keine Aussagen über die Mikrostruktur vonhochporösem überkritisch getrockneten PS gemacht werden kann. Eine Erwärmung des PS während der Messung und die starke Oxidation des PS durch den Trocknungsprozeß, machen eine Bestimmung der Kristallitgrößenverteilung unmöglich. Eine weitere Möglichkeit die Photolumineszenz zu steigern, ist die Herstellung vonPS unter Beleuchtung. Aufbauend auf Ergebnissen der Arbeitsgruppe [6], war es möglich, die Photolumineszenz von PS aus p-Si so weit zu steigern, daß die Intensitäterstmals in der Größenordnung von PS aus n-Si lag. Dabei hat sich gezeigt, daß die Photolumineszenz mit der Beleuchtungdauer und Intensität zunimmt. Als besondersgeeignet für die Beleuchtung, hat sich die 647 nm Linie des Kr$^{+}$-Ionenlasers [...]

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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