Untersuchungen der strukturellen Eigenschaften von InGaAs/GaAs-Übergittern und zur Rekonstruktion des projizierten Kristallpotentials in der hochauflösenden Elektronenmikroskopie

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Untersuchungen der strukturellen Eigenschaften von InGaAs/GaAs-Übergittern und zur Rekonstruktion des projizierten Kristallpotentials in der hochauflösenden Elektronenmikroskopie - FZJ-2019-01756

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