Record #895441

SFB 917 B01

Schnelle transiente, elektrische Analyse von resistiven Schaltphänomenen (B01)

Coordinator	Dr.-Ing. Ulrich Böttger ; Dr.-Ing. Stephan Menzel ; Professor Dr. Martin Salinga
Grant period	2011 - 2023
Funding body	Deutsche Forschungsgemeinschaft
	DFG
Identifier	G:(GEPRIS)202259360

⇧ SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" ⇧

Note: Das Projekt B1 zielt darauf ab, Strategien zur Designoptimierung von PCM- und VCM-Zellen zu entwickeln, insbesondere hinsichtlich der Skalierung. Dabei wird insbesondere die Rolle der Erwärmung als Schlüsselparameter für die Steuerung der erforderlichen Nichtlinearität der Schaltkinetik betrachtet. Die Bauelementdynamik, einschließlich des Schwellenwertschaltens, wird experimentell untersucht und durch Kontinuums- und/oder Kompaktmodelle simuliert. Für ein tieferes grundlegendes Verständnis der zugrundeliegenden Prozesse wird die ultraschnelle Anregung mit Pikosekundenpulsen eingesetzt. Schließlich wird die Fähigkeit des Mehrstufenschaltens aufgrund ihrer technologischen Relevanz ein Ziel dieses Projekts sein.

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Conference Presentation (Invited) Menzel, S. (Corresponding author)FZJ*
Switching Dynamics of Memristive Devices
2022Joint SFB 917 & SPP 1959 Summer School “Gradient Induced Processes in Inorganic Materials, BrühlBrühl, Germany, 30 May 2022 - 3 Jun 20222022-05-302022-06-03 BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

Journal Article Ntinas, V. ; Ascoli, A. ; Messaris, I. ; Wang, Y.FZJ* ; Rana, V. (Corresponding author)FZJ* ; Menzel, S.FZJ* ; Tetzlaff, R.
Toward Simplified Physics-Based Memristor Modeling of Valence Change Mechanism Devices
IEEE transactions on circuits and systems / 2 69(5), 2473 - 2477 (2022) [10.1109/TCSII.2022.3160304]2022 Files Fulltext by OpenAccess repository BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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Record created 2021-09-20, last modified 2023-07-13

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