SFB 917 B08

Theorie und Modellierung des valenzwechselbasierenden resistiven Schaltens (B08)

CoordinatorProfessor Dr. Stefan Blügel ; Professor Dr.-Ing. Christoph Jungemann ; Professorin Dr. Marjana Lezaic
Grant period2015 - 2023
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)277688301

SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"

Note: Im Projekt B8 zielen wir darauf ab, die atomistischen Simulationen auf Elektrodenmaterialien und die Elektroden/Oxid-Schnittstelle auszudehnen. Darüber hinaus planen wir, die Auswirkungen des Einbaus von Wasserstoff zu erfassen. Kinetische Monte-Carlo-Simulationen werden verwendet, um die Möglichkeiten zur Verbesserung der Leistungskennzahlen von ReRAM wie Zuverlässigkeit, Schaltausdauer und Ein-/Aus-Widerstandsverhältnis zu untersuchen, wobei die Ergebnisse des ab initio-Ansatzes und der genetische Algorithmus als Input verwendet werden. Diese Studie wird mit dem Drift-Diffusionsmodell in B1 verknüpft.
   

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Investigation of the Large Variability of HfO 2 ‐Based Resistive Random Access Memory Devices with a Small Current Compliance by a Kinetic Monte Carlo Model
Physica status solidi / A 221(22), 2300403 () [10.1002/pssa.202300403] OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Journal Article  ;  ;
Doped HfO x Nanoclusters: Polar and Resistive Switching in the Smallest Functional Units
Physica status solidi / A 221(22), 2300404 () [10.1002/pssa.202300404] OpenAccess  Download fulltext Files BibTeX | EndNote: XML, Text | RIS

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 Datensatz erzeugt am 2021-09-20, letzte Änderung am 2023-07-13



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