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Chemical structure of conductive filaments in tantalum oxide memristive devices and its implications for the formation mechanism
Heisig, T.FZJ* ; Langen, K.-J.FZJ* ; Gutsche, A.FZJ* ; Goß, K.FZJ* ; Hambsch, S.FZJ* ; Locatelly, A. ; Mentes, T. O. ; Genuzio, F. ; Menzel, S.FZJ* ; Dittmann, R.FZJ*
2021
2021ICAMD, Jeju IslandJeju Island, South Korea, 6 Dec 2021 - 10 Dec 20212021-12-062021-12-10
Contributing Institute(s):
- Elektronische Materialien (PGI-7)
- JARA-FIT (JARA-FIT)
- Physik der Medizinischen Bildgebung (INM-4)
- JARA Institut Green IT (PGI-10)
Research Program(s):
- 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
- Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC -, Teilvorhaben: Forschungszentrum Jülich (16ES1133K) (16ES1133K)
- MANIC - Materials for Neuromorphic Circuits (861153) (861153)
Appears in the scientific report
2021