Journal Article

FZJ-2023-04248

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Dual‐Mode Operation of Epitaxial Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 : Ferroelectric and Filamentary‐Type Resistive Switching

Knabe, J. (Corresponding author)FZJ* ; Berg, F. ; Thorben Goβ, K.FZJ* ; Boettger, U. ; Dittmann, R. (Corresponding author)FZJ*

2024
Wiley-VCH Weinheim

This record in other databases:    

Please use a persistent id in citations: doi:10.1002/pssa.202300409  doi:10.34734/FZJ-2023-04248

---

Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. DFG project G:(GEPRIS)167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)
3. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
4. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)

Appears in the scientific report 2024

---

Database coverage:
; ; ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DEAL Wiley ; Ebsco Academic Search ; Essential Science Indicators ; IF < 5 ; JCR ; Nationallizenz ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection

---