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Journal Article PreJuSER-135948
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Optimization of modulation-doped Ga1- xInxAs/lnP heterostructures towards extremely high mobilities

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American Institute of Physics

Journal of applied physics 73(9), 4489 - 4493 () [10.1063/1.352789]

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Note: Record converted from JUWEL: 18.07.2013
Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (IBN-1)
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Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
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 Datensatz erzeugt am 2013-07-18, letzte Änderung am 2020-04-23
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