Hauptseite > Institutssammlungen > PGI > PGI-9 > The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes
 
Journal Article PreJuSER-135994
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
The effect of growth temperature on AlAs/GaAs resonant tunnelling diodes

 ;  ;  ;  ;
Institute of Physics Publishing

Journal of physics / D 27, 175 - 178 () [10.1088/0022-3727/27/1/028]

This record in other databases:  

Please use a persistent id in citations:

Classification:

Note: Record converted from JUWEL: 18.07.2013
Contributing Institute(s):
  1. Halbleiter-Nanoelektronik (IBN-1)
Database coverage:
OpenAccess
Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Aufsätze > Zeitschriftenaufsätze
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
Open Access
 Datensatz erzeugt am 2013-07-18, letzte Änderung am 2020-04-23
Ähnliche Datensätze


OpenAccess:
Volltext herunterladen PDF
Externer link:
Volltext herunterladenFulltext by OpenAccess repository
Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Bisher nicht rezensiert)
JuSER :: Suchen :: Absenden :: Personalisieren :: Hilfe
Powered by Invenio v1.1.7 | join2_v2603a
Verwaltet von juser@fz-juelich.de

Impressum | Data Privacy Policy
Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch  English