Journal Article

PreJuSER-24608

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Effect of helium ion implantation and annealing on the relaxation behaviour of pseudomorphic Si1-xGex/Si(100) buffer layers on Si (100) substrates

Luysberg, M.FZJ* ; Kirch, D.FZJ* ; Trinkaus, H.FZJ* ; Holländer, B.FZJ* ; Lenk, S.FZJ* ; Mantl, S.FZJ* ; Herzog, H.-J. ; Hackbarth, T. ; Fichtner, P. F. P.

2002
American Institute of Physics Melville, NY

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/1554

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012

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Contributing Institute(s):

1. Theorie III (IFF-TH-III)
2. Mikrostrukturforschung (IFF-IMF)
3. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)

Research Program(s):

1. Kondensierte Materie (M02)
2. Materialien, Prozesse und Bauelemente für die Mikro- und Nanoelektronik (I01)

Appears in the scientific report 2002
Notes: This version is available at the following Publisher URL: http://jap.aip.org

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Database coverage:

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