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Contribution to a conference proceedings/Contribution to a book PreJuSER-40725
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Investigations of the influence of traps in AlGaN/GaN HEMTs

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2001

ISBN: 0-7803-7049-X

Proceedings of the 9th EDMO : International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronics Applications, Wien, Austria. - 2001. - 0-7803-7049-X. - S. 149


Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Contributing Institute(s):
  1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)
  2. Institut für Photovoltaik (IPV)
Research Program(s):
  1. Halbleiterbauelemente und Analytik (29.88.0)
  2. Halbleiterschichtsysteme und Mesoskopische Strukturen (29.89.0)
  3. Grundlagen und Technologie von Dünnschichtsolarzellen (30.90.0)

Appears in the scientific report 2001
Notes: Proceedings
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > IMD > IMD-3
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Dokumenttypen > Bücher > Bücher
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
IEK > IEK-5
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 Datensatz erzeugt am 2012-11-13, letzte Änderung am 2024-07-08
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