Contribution to a conference proceedings/Contribution to a book

PreJuSER-40821

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Chemical vapor epitaxy of GaxAl(1-x)As

Hardtdegen, H.FZJ*

2001

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012

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Contributing Institute(s):

1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)

Research Program(s):

1. Halbleiterschichtsysteme und Mesoskopische Strukturen (29.89.0)

Appears in the scientific report 2001

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