Book/Report

FZJ-2019-01647

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Untersuchung von elektrischen Prozessen an Supraleiter/Halbleiter-Grenzflächen mit Hilfe von ballistischen Elektronen

Klocke, T. (Corresponding author)FZJ*

1996
Forschungszentrum Jülich GmbH Zentralbibliothek, Verlag Jülich

Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/21732

Report No.: Juel-3288

Abstract: 1. In dieser Arbeit wurden Supraleiter/2DEG-Kontakte hergestellt und untersucht. Dabei stellte sich heraus, daß für die Qualität des Kontaktes nicht nur die beteiligten Materialien für den Haltbleiter und den Supraleiter, sondern auch deren präparative Vorgeschichte eine wichtige Rolle spielen. Es wurden theoretische Modelle für die elektrischen Grenzflächenprozesse vorgestellt, die einen Parameter als besonders wesentlich herausstellen: die GrenzflächenTransmissivität D. Eben diese wird auch wesentlich durch die Präparation des Halbleiters und des Supraleiters bestimmt. Ist das Ziel eine hohe Transmissivität, so muß ein Halbleiter mit möglichst geringer Oberflächen-Barriere verwendet werden, wenn der Supraleiter nicht einlegiert werden soll. Dieser Punkt spricht für die Verwendung eines InGaAs/InP-2DEGs mit einemaktiven Kanal mit möglichst hohem Indium-Anteil im InGaAs, hier speziell In$_{0.77}$Ga$_{0.23}$As, weil in dieser Struktur die Oberflächenbarriere besonders klein ist. Auf Seiten des Supraleiters ist neben der mechanischen Stabilität des Kontaktes bei Abkühlen und wieder Erwärmen ein möglichst großes T$_{c}$ und damit auch großes $\Delta$ erforderlich. Das hier verwendete Niob erfüllt beide diese Voraussetzungen sehr gut und ist technologisch gut erprobt. Probleme die Grenzflächen-Transmissivität betreffend erwachsen aus der Präparation des Kontaktes. Die Herstellung der Halbleitergrenzfläche kann naß- oder trocken-chemisch erfolgen, wobei das RIE-Verfahren die bessere Reproduzierbarkeit liefert. Bei allen diesen Ätzprozessen wird die Oberfläche sowohl chemisch als auch physikalisch verändert bzw. zerstört. Hierbei stellen sich die In-haltigen Verbindungshalbleiter als ungünstig heraus, da sie sehr leicht durch physikalische Ätzverfahren zerstört werden und dabei zur Anreicherung und Tropfenbildung von Indium an der Oberfläche neigen. Das Niob stellt durch seine hohe [...]

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Contributing Institute(s):

1. Publikationen vor 2000 (PRE-2000)

Research Program(s):

1. 899 - ohne Topic (POF3-899) (POF3-899)

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Database coverage:

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