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Contribution to a book FZJ-2020-03660
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From thin relaxed SiGe buffer layers to Strained Silicon directly on Oxide

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2006
Electrochemical Society (ECS) Pennington, NJ

Pennington, NJ : Electrochemical Society (ECS), ECS transactions 3, 1047 - 1055 ()

Classification:

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Contributing Institute(s):
  1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)
  2. Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI)
Research Program(s):
  1. Grundlagen für zukünftige Informationstechnologien (P42)

Appears in the scientific report 2006
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The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Bücher > Buchbeitrag
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2020-10-02, letzte Änderung am 2020-10-03
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