Journal Article

FZJ-2022-05324

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Endurance of 2 Mbit Based BEOL Integrated ReRAM

Kopperberg, N. (Corresponding author) ; Wiefels, S.FZJ* ; Hofmann, K. ; Otterstedt, J. ; Wouters, D. J. ; Waser, R.FZJ* ; Menzel, S.FZJ*

2022
IEEE New York, NY

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Please use a persistent id in citations: http://hdl.handle.net/2128/32890  doi:10.1109/ACCESS.2022.3223657

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA Institut Green IT (PGI-10)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
3. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
4. DFG project 167917811 - SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" (167917811) (167917811)

Appears in the scientific report 2022

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Database coverage:
; ; ; ; Article Processing Charges ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Electronics and Telecommunications Collection ; Current Contents - Engineering, Computing and Technology ; DOAJ Seal ; Essential Science Indicators ; Fees ; IF < 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection

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