Journal Article

FZJ-2026-02636

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png The Influence of Residual Ion Drift During Programming of Chip‐Integrated Nanoscale HfO 2 ‐Based Memristive Devices

Artner, O. ; Cüppers, F. ; Son, S.FZJ* ; Chen, Y.FZJ* ; Liu, X.FZJ* ; Bengel, C. ; Nielinger, D.FZJ* ; Zambanini, A.FZJ* ; Wiefels, S.FZJ* ; Menzel, S.FZJ* ; Dittmann, R.FZJ* ; Hoffmann-Eifert, S.FZJ*

2026
Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KG Weinheim

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Please use a persistent id in citations: doi:10.1002/aelm.202500891

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)
3. Integrated Computing Architectures (PGI-4)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. DFG project G:(GEPRIS)528378584 - TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D) (528378584) (528378584)
3. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
4. BMFTR 03ZU2106AB - NeuroSys: KI-anwendungsspezifische Technologiereifung memristiver Bauteile (Projekt A) - Teilvorhaben B (03ZU2106AB) (03ZU2106AB)

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Database coverage:
; ; ; Article Processing Charges ; Clarivate Analytics Master Journal List ; Current Contents - Physical, Chemical and Earth Sciences ; DEAL Wiley ; DOAJ Seal ; Essential Science Indicators ; Fees ; IF >= 5 ; JCR ; SCOPUS ; Science Citation Index Expanded ; Web of Science Core Collection

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