Journal Article

FZJ-2026-03991

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Band-engineering in area-dependent InGaZnO(IGZO)-based memristive devices

Yuan, P.FZJ* ; Wittberg, C.FZJ* ; Deuermeier, J. ; Pereira, M. E. ; Liu, Y.-P.FZJ* ; Mueller, D. N. ; Kiazadeh, A. ; Dittmann, R.FZJ*

2026
Frontiers Media Lausanne

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Please use a persistent id in citations: doi:10.3389/fnano.2026.1870683  doi:10.34734/FZJ-2026-03991

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Contributing Institute(s):

1. Elektronische Materialien (PGI-7)
2. JARA-FIT (JARA-FIT)

Research Program(s):

1. 5233 - Memristive Materials and Devices (POF4-523) (POF4-523)
2. BMBF 16ME0399 - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0399) (BMBF-16ME0399)
3. BMBF 16ME0398K - Verbundprojekt: Neuro-inspirierte Technologien der künstlichen Intelligenz für die Elektronik der Zukunft - NEUROTEC II - (BMBF-16ME0398K) (BMBF-16ME0398K)
4. BMBF 03ZU1106AB - NeuroSys: "Memristor Crossbar Architekturen (Projekt A) - B" (BMBF-03ZU1106AB) (BMBF-03ZU1106AB)
5. DFG project G:(GEPRIS)528378584 - TRR 404: Zukunftsweisende Elektronik durch aktive Bauelemente in drei Dimensionen (Active-3D) (528378584) (528378584)

Appears in the scientific report 2026

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Database coverage:
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