Contribution to a conference proceedings/Contribution to a book

PreJuSER-40697

http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png Vertical double-gate MOSFET based on epitaxial growth by LPCVD

Moers, J.FZJ* ; Trellenkamp, S.FZJ* ; Vescan, L.FZJ* ; Marso, M.FZJ* ; Kordos, P.FZJ* ; Lüth, H.FZJ*

2001

ISBN: 2-914601-01-8

Note: Record converted from VDB: 12.11.2012

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Contributing Institute(s):

1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)

Research Program(s):

1. Halbleiterbauelemente und Analytik (29.88.0)
2. Halbleiterschichtsysteme und Mesoskopische Strukturen (29.89.0)

Appears in the scientific report 2001
Notes: Proceedings

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