Hauptseite > Publikationsdatenbank > The Influence of Nucleation Parameters on GaN Buffer Layer Properties Used for HEMT Application
 
Conference Presentation PreJuSER-44679
http://join2-wiki.gsi.de/foswiki/pub/Main/Artwork/join2_logo100x88.png
The Influence of Nucleation Parameters on GaN Buffer Layer Properties Used for HEMT Application

 ;  ;  ;  ;  ;  ;

2001

The Fourth International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4)
Seminar, Denver, Colo.Denver, Colo., 16 Jul 20012001-07-16


Note: Record converted from VDB: 12.11.2012
Contributing Institute(s):
  1. Institut für Halbleiterschichten und Bauelemente (ISG-1)
Research Program(s):
  1. Halbleiterschichtsysteme und Mesoskopische Strukturen (29.89.0)

Appears in the scientific report 2001
Notes: Nachtrag
Click to display QR Code for this record

The record appears in these collections:
Dokumenttypen > Präsentationen > Konferenzvorträge
Institutssammlungen > PGI > PGI-9
Workflowsammlungen > Öffentliche Einträge
Publikationsdatenbank
 Datensatz erzeugt am 2012-11-13, letzte Änderung am 2018-02-10
Ähnliche Datensätze



Dieses Dokument bewerten:

Rate this document:
1
2
3
4
5
 
(Bisher nicht rezensiert)
JuSER :: Suchen :: Absenden :: Personalisieren :: Hilfe
Powered by Invenio v1.1.7 | join2_v2508-8-g6303aad
Verwaltet von juser@fz-juelich.de

Impressum | Data Privacy Policy
Diese Seite gibt es auch in den folgenden Sprachen:
Deutsch  English